IGRC навигатор

Ваш информационный интернет-дайджест
 

Транзисторы на бумаге станут основой “умной” упаковки

Команда ученых из Центра исследования материалов факультета науки и технологии Нового университета Лиссабона (Centro de Investigação de Materiais da Faculdade de Ciências e Tecnologia da Universidade Nova de Lisboa), возглавляемая Эльвирой Фортунату (Elvira Fortunato) и Родгиру Мартинсом (Rodrigo Martins), создала первый в мире полевой транзистор на бумажном слое.

Существует устойчивый интерес к применению биополимеров в электронных устройствах нижней ценовой группы. И с этих пор к целлюлозе как главному биополимеру на Земле приковано пристальное внимание. Многие исследовательские группы рапортовали об использовании бумаги в качестве физической основы электронных устройств, однако пока никому не удавалось возложить на бумагу активную роль в полевых транзисторах.

В новом методе обычный лист бумаги работает как диэлектрический слой в оксидном полевом транзисторе. Исследователи построили устройства с обеих сторон листа бумаги. При этом бумага одновременно играет роль электрического изолятора и подложки.

Кроме того, электрические характеристики устройств свидетельствуют о том, что они опережают соответствующие показатели аморфных кремниевых TFT (thin film transistor) и конкурируют с оксидными тонкопленочными транзисторами.

Эти результаты позволяют говорить о появлении новых электронных устройств, таких как бумажные дисплеи, “умные” этикетки и упаковки, различные био-приложения, метки радиочастотной идентификации. Подробные данные испытаний будут опубликованы в сентябрьском докладе института IEEE (IEEE Electron Device Letters).