IGRC навигатор

Ваш информационный интернет-дайджест
 

Увеличена скорость магниторезистивной памяти

Магниторезистивная память, или MRAM, считается сегодня одним из претендентов на замену современной энергозависимой и медленной динамической DRAM-памяти и абсолютно не компактной и дорогой статической памяти SRAM. Разумеется, MRAM-устройств лишены недостатков, присущих указанным двум типам памяти, обеспечивая высокую плотность размещения информации и не требуя подвода энергии для хранения данных – потребляемая электроэнергия уходит только на запись/перезапись и чтение информации.

Однако перед переходом на повсеместное применение магниторезистивной памяти перед исследователями требуется оптимизация технологии изготовления MRAM-ячейки. Отметим, что сегодня в основу устройств последнего поколения положен эффект передачи спинового момента, который позволяет снизить размеры ячейки памяти, и поэтому разработчики сосредоточили свое внимание на оптимизации именно этого типа устройств.

Очередной шаг к выводу устройств из стадии лабораторных экспериментов к практическому применения в микросхемах следующих поколений осуществили сотрудники немецкого института метрологии, которым удалось создать MRAM-память, показывающую высокую скорость доступа к данным, аналогичную таковой для электронных аналогов. Исследователям удалось добиться так называемого «баллистического переключения» ячейки. Благодаря этому время цикла записи составляет всего лишь одну наносекунду, сообщают в пресс-релизе сотрудники института.

На данный момент полную картину достижения составить сложно, однако более подробный отчет будет опубликован в сентябре в очередном выпуске журнала Physical Review Letters.